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本發(fā)明涉及芯片生產(chǎn)設(shè)備，尤其是基于spr與mit技術(shù)的高精度化學(xué)芯片批量生產(chǎn)設(shè)備。、表面等離子體共振(surface?plasmon?resonance，spr)是一種物理光學(xué)現(xiàn)象，其原理是指：當光線由光密介質(zhì)照射到光疏介質(zhì)時，在入射角大于某個特定的角度時，界面會發(fā)生全反射現(xiàn)象。如果在兩種...

本發(fā)明屬于mems，涉及一種平面電極及其引線方法。、在mems(微機電系統(tǒng))封裝，引線封裝是連接mems傳感器或執(zhí)行器與外部電路的關(guān)鍵步驟。傳統(tǒng)的引線方案包括引線鍵合、焊接和點膠等技術(shù)，這些方法雖然在實際應(yīng)用中已經(jīng)得到了廣泛認可，但它們在某些應(yīng)用場景下存在顯著的局限性。、引線鍵合是...

本發(fā)明屬于鈣鈦礦薄膜圖形化制備，具體涉及一種利用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)干法刻蝕實現(xiàn)鈣鈦礦薄膜圖形化的方法。、鈣鈦礦材料具有合適的帶隙、高載流子遷移率、高吸收系數(shù)、低激子束縛能、長載流子壽命等優(yōu)勢，基于鈣鈦礦的量子點、納米線等結(jié)構(gòu)材料也成為了新一代光電功能材料，在發(fā)光二極管、太陽能電池、阻變憶阻器...

本發(fā)明屬于鈣鈦礦陣列圖形化，具體涉及電感耦合等離子刻蝕技術(shù)制作鹵化物鈣鈦礦陣列圖形的方法。、鹵化物鈣鈦礦（以下簡稱‘鈣鈦礦’）材料具有合適的帶隙、高載流子遷移率、高吸收系數(shù)、低激子束縛能、長載流子壽命等優(yōu)點，其中，基于鈣鈦礦的量子點、納米線等結(jié)構(gòu)材料也成為了新一代光電功能材料，在發(fā)光二極管...

本發(fā)明屬于鈣鈦礦量子點圖形化，具體涉及雙面硅化合物接觸式掩膜板及其制備方法、利用掩膜板制備鹵化物鈣鈦礦量子點圖形的方法。、量子點是由有限數(shù)目原子組成的三維尺度均在納米級別的新型材料，通常尺寸介于-?nm內(nèi)。傳統(tǒng)量子點主要由ii-vi族、iii-v族或iv-vi族元素構(gòu)成，如較為傳統(tǒng)的量子點...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體微納加工測試，特別涉及一種碳化硅微結(jié)構(gòu)及其受壓電阻變化測試平臺和搭建方法。、碳化硅，作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的典型代表，具有高熱導(dǎo)率，耐腐蝕，寬禁帶，高載流子遷移率等材料優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用于微電子和微納傳感器等領(lǐng)域。在功率器件領(lǐng)域，碳化硅被作為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(m...

本發(fā)明涉及微鏡，特別涉及一種壓電mems微鏡及制造方法。、壓電mems微鏡結(jié)合了壓電驅(qū)動和位置傳感功能，利用壓電材料在電場中產(chǎn)生應(yīng)力形變來驅(qū)動微鏡發(fā)生轉(zhuǎn)動，而為了實現(xiàn)對于轉(zhuǎn)動角度更精準快速的反饋控制。、現(xiàn)有技術(shù)中壓電mems微鏡通常采用壓阻檢測的方式，首先在需要檢測旋轉(zhuǎn)的位置上埋入可變電阻...

本發(fā)明屬于mems引線封裝，涉及一種高溫mems器件高效引線方法。、mems全稱micro?electromechanical?system，即微機電系統(tǒng)，是一種結(jié)合了機械和電子技術(shù)的微小裝置，是微型機械加工工藝和半導(dǎo)體工藝相結(jié)合的產(chǎn)品。由于mems擁有小型化、低功耗、集成化、智能化等特點...

本申請涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種在深硅刻蝕中保護陽極鍵合表面的方法。、晶圓鍵合在mems(micro-electro-mechanical?system，微機電系統(tǒng))工藝中應(yīng)用非常廣泛，而晶圓的鍵合表面的粗糙度對于鍵合強度具有直接的影響。有些半導(dǎo)體器件，特別是有些微機電系統(tǒng)器件，例如壓電傳感...

本申請涉及微電子，尤其是涉及到一種用于提高表面平整度的mems器件制作方法及mems器件。、微機電系統(tǒng)(mems,micro-electro-mechanical?system)，也叫做微電子機械系統(tǒng)、微系統(tǒng)、微機械等，指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置。主要由傳感器、作動器(執(zhí)行器)和微...

本發(fā)明屬于芯片鍵合，特別涉及一種用于微流控芯片封裝的鍵合裝置及其鍵合方法。、微流控芯片又稱芯片實驗室，一張芯片上可以集成加樣、反應(yīng)、分離和檢測等多種功能。、經(jīng)檢索，現(xiàn)有技術(shù)中，中國專利公開號:cnu，授權(quán)公開日：--，公布了一種雙工位微流控芯片鍵合裝置，包括裝置主體，裝置主體構(gòu)造有操作空間...

本發(fā)明涉及非制冷紅外探測器，更具體涉及一種面陣型像素封裝非制冷紅外探測器及制備方法。、非制冷紅外焦平面探測器是在超高真空環(huán)境下通過吸收外界的紅外能量轉(zhuǎn)化為電學(xué)信號來進行成像，在非制冷紅外探測器的制作過程中必須使用到吸氣劑，并在探測器真空密封環(huán)境下激活，從而去除殘余氣體以保持更高的真空度。在...

本發(fā)明涉及芯片制造領(lǐng)域，具體地說就是一種mems器件的焊盤結(jié)構(gòu)及其制備方法。、焊盤是微型電子機械系統(tǒng)（mems）芯片的關(guān)鍵組成部分之一，在芯片封裝過程中，焊盤可以實現(xiàn)芯片與外部asic電路的電學(xué)連接。、mems焊盤的質(zhì)量直接影響到芯片的性能、可靠性、使用壽命、環(huán)境適應(yīng)性、和良率等。高質(zhì)量的...

本發(fā)明屬集成電路制造，具體涉及一種用于刻蝕方陣陣列圖形的掩膜板及利用其刻蝕方陣陣列圖形的方法。、刻蝕是半導(dǎo)體器件和集成電路制造中的一個重要工藝，是集成電路器件中圖形化的重要手段。通常，刻蝕工藝是光刻技術(shù)之后進行，通過刻蝕把光刻所產(chǎn)生的器件結(jié)構(gòu)圖形制備到下層襯底上。簡單來說，先利用光刻技術(shù)將...

本發(fā)明涉及mems，特別涉及一種基于son-soi復(fù)合結(jié)構(gòu)的mems多種類型壓阻式壓力傳感器的制備方法。、mems壓阻式壓力傳感器是基于微機電系統(tǒng)(mems)技術(shù)的一種傳感器類型，利用材料的壓阻效應(yīng)來測量壓力。這類傳感器具有高靈敏度、小型化、低成本和適合批量生產(chǎn)的特點，廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、工業(yè)...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，涉及一種非制冷紅外探測器像素級封裝結(jié)構(gòu)及制備方法。、非制冷紅外探測是一種在超高真空環(huán)境下通過吸收外界的紅外能量轉(zhuǎn)化為電學(xué)信號進行成像的探測器，所以在非制冷紅外探測器的封裝過程中必須使用并激活吸氣劑，從而去除殘余氣體以保持更高的真空度。并且后期使用過程中如果出現(xiàn)真空度下降的...

本發(fā)明屬于鈣鈦礦陣列圖形化，具體涉及利用深硅刻蝕技術(shù)制作掩膜板的方法及利用掩膜板制備鹵化物鈣鈦礦陣列圖形的方法。、鹵化物鈣鈦礦（以下簡稱‘鈣鈦礦’）材料具有合適的帶隙、高載流子遷移率、高吸收系數(shù)、低激子束縛能、長載流子壽命等優(yōu)點，其中，基于鈣鈦礦的量子點、納米線等結(jié)構(gòu)材料也成為了新一代光電...

本發(fā)明屬于mems傳感器，特別涉及一種電容式換能器，具體是一種基于soi晶圓的mems電容式傳感器結(jié)構(gòu)及其制備方法。、基于mems技術(shù)的電容式傳感器具有體積小、一致性高、高密度集成、成本低、易于批量生產(chǎn)等特點，因此在各個領(lǐng)域的應(yīng)用潛力備受認可。、基于晶圓鍵合拓展的制造方法有硅局部氧化工藝，...

本公開涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地涉及一種dps金屬刻蝕腔體刻蝕氧化釩的方法。、基于mems技術(shù)的氧化釩測輻射熱計是一種新型的熱成像技術(shù)。其工作原理主要涉及到在氮化硅和氧化硅基底上制備氧化釩薄膜，并對這些薄膜進行熱敏性能測試。研究表明，氮化硅基底上制備的氧化釩薄膜具有更優(yōu)的紅外探測性能。與傳統(tǒng)...

本發(fā)明屬于微流控芯片制作，特別涉及利用聚焦激光刻蝕法制備微流控芯片的方法、微流控芯片及應(yīng)用。、微流控技術(shù)在生物醫(yī)學(xué)、化學(xué)分析和材料科學(xué)等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用，其制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)是微流道的制作。微流道的傳統(tǒng)制作方法包括化學(xué)刻蝕、軟光刻、紫外光刻、電子束直寫、噴墨打印等。、以上方法在應(yīng)用中有各...